硅光芯片制造技术走向成熟,硅光晶圆测试测量全新解决方案,产业发展迎来新契机发表时间:2025-08-20 17:36来源:官网/网络信息 硅光芯片制造技术走向成熟,硅光晶圆测试测量全新解决方案,产业发展迎来新契机
在 AI 技术飞速发展的当下,AI 服务器对数据传输速率的要求急剧攀升,而融合了硅芯片工艺流程与光电子高速率、高能效优势的硅光芯片,成为解决这一需求的关键所在。2025 年,从政策规划到技术突破,再到产业化推进,多项进展清晰地显示出硅光芯片的制造工艺正逐步走向成熟。 政策层面为硅光芯片产业发展注入了强大动力。国内多个省份纷纷出台相关政策支持硅光芯片产业创新发展。湖南省人民政府在《加快“世界光谷” 建设行动计划》中明确提出,到 2025 年完成 12 英寸基础硅光流片工艺开发,形成国际领先的硅光晶圆代工和生产制造能力。《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案 (2024—2030 年)》也着重强调,支持光芯片相关部件和工艺的研发及优化,其中就包括硅光集成、异质集成等光芯片相关制造工艺的研发和持续优化,为产业发展指明了方向。 一、硅光芯片的技术创新 技术突破是硅光芯片制造工艺走向成熟的核心标志。在技术创新方面,复旦大学信息科学与工程学院张俊文研究员、迟楠教授与相关研究团队开展合作,提出基于多维光子复用的创新范式,成功实现了在时域、空域、频域的多维并行信号传输。基于此,团队设计并研制出一款硅光集成高阶模式复用器芯片,该芯片实现了每秒 38Tb 的数据传输速度,这意味着其可在 1 秒内完成大模型 4.75 万亿参数传递,极大地提升了数据传输效率。 国际企业在硅光芯片技术上的探索也成果显著。英伟达在 2024 年 12 月的 IEDM 2024 上展示了与台积电合作开发的硅光子原型。据台积电介绍,该原型采用的 COUPE 技术使用 SoIC-X 芯片堆叠技术,将电子裸片堆叠在光子裸片上,从而在 die-to-die(裸片与裸片)接口提供更低电阻和更高能效,为硅光芯片性能提升开辟了新路径。 同时,硅光芯片制造中的关键难题—— 对准瓶颈也得到了有效突破。传统单通道对准效率低下,而新型快速多通道光子对准系统(FMPA)通过固件驱动的并行对准技术,实现 6 自由度同步优化,将对准时间从数十秒大幅缩短至 250-400 毫秒,且精度达到纳米级,这一突破成功解决了硅光子晶圆级测试与封装的规模化难题。目前,该技术已集成至 Cascade Microtech 等厂商的探针台,有力推动了硅光子从实验室走向量产。 二、硅光测试技术和设备 在硅光芯片制造技术逐步成熟的进程中,测试技术与设备发挥着举足轻重的作用,它们是保障芯片性能与质量、推动产业从实验室走向大规模商用的关键支撑。 1,国内进展 从国内来看,诸多企业和机构在硅光芯片测试领域取得了显著进展。
2,国际进展 在国际舞台上,众多企业和研究机构在硅光芯片测试技术与设备领域各展所长,推动着行业的进步。
总体而言,硅光芯片测试技术与设备正朝着高精度、高速度、自动化以及标准化的方向发展 。随着技术的不断创新,从高精度测试仪器到自动化测试平台,从针对特定芯片的性能测试到涵盖全流程的工艺解决方案,这些测试手段将在保障硅光芯片性能、加速产品迭代以及推动产业规模化发展等方面持续发挥关键作用 。不过,当前测试领域仍面临着测试成本较高、部分测试标准不统一等挑战,需要产业界和科研机构进一步探索解决方案,以推动硅光芯片产业更高效、健康地发展 。 三、硅光应用产业化 在产业化方面,国内企业同样取得了令人瞩目的进展。中国信科发起成立的国家信息光电子创新中心联合开发的 12 英寸硅光工艺线预计今年底正式建成,该工艺可支持 40 纳米小尺寸硅光波导结构的生产制造,这将大幅降低开发验证周期,保障大规模芯片交付,实现国产芯片从设计到生产的完全国产化。群发光芯也在 4 月 27 日召开了 OPA 中试线投产及产品发布会,其 OPA 中试线以低损耗厚膜氮化硅制造工艺为核心,能够助力多种类型硅光器件加工。建成的六英寸硅光生产线具备光刻、刻蚀、成膜等全工艺流程能力,形成了具有自主知识产权的高端硅光芯片工艺解决方案。 总之,硅光芯片制造技术在政策支持、工艺开发、传输速率、芯片堆叠、测试技术及产业化等多方面均取得了显著进展,正逐步走向成熟。不过,该领域仍面临一些挑战,如进一步降低成本、提高良品率等。随着技术的持续创新和产业的不断完善,硅光芯片有望在数据中心、人工智能、智能驾驶等领域得到更广泛应用,为相关产业的发展注入强劲动力。 内容版权归原作者所有,此处仅作分享学习使用,如有侵权,请联系本站删除 |